TP65H150G4PS
Référence :
TP65H150G4PS
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GAN FET N-CH 650V TO-220
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1916
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$7.03
$7.03
50+
$3.78
$189
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (Max)
83W (Tc)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 500µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
598 pF @ 400 V
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