TP65H300G4LSGB-TR
Référence :
TP65H300G4LSGB-TR
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
4382
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$4.6
$4.6
10+
$3.03
$30.3
100+
$2.13
$213
500+
$1.94
$970
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Vgs (Max)
±12V
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Boîtier
8-VDFN Exposed Pad
Dissipation de puissance (Max)
21W (Tc)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 400 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 500µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
6V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-PQFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
312mOhm @ 6.5A, 6V
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