TPM7R10CQ5,LQ
Référence :
TPM7R10CQ5,LQ
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CH MOSFET, 150 V, 0.0071 @10V,
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
10000
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$4.11
$4.11
10+
$2.7
$27
100+
$1.89
$189
500+
$1.67
$835
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Tension Drain-Source (Vdss)
150 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Boîtier
8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
8V, 10V
Température de fonctionnement
175°C
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.2mA
Dissipation de puissance (Max)
3W (Ta), 250W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
13A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.1mOhm @ 35A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 75 V
Fournisseur Dispositif Emballage
8-SOP Advance (4.9x5.75)
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