XP10N024H
Référence :
XP10N024H
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET N CH 100V 25.8A TO-252
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
1600
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 3000
Qté
Prix
Total
3000+
$0.67
$2010
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
5V, 10V
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 12A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2160 pF @ 50 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
25.8A (Ta)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
23.2 nC @ 5 V
Dissipation de puissance (Max)
2W (Ta), 31.2W (Tc)
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