XP231P02013R-G
Référence :
XP231P02013R-G
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
2915
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$0.26
$0.26
10+
$0.18
$1.8
100+
$0.09
$9
500+
$0.08
$40
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Type de FET
P-Channel
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
350mW (Ta)
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Vgs (Max)
±8V
Boîtier
SC-70, SOT-323
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
2.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 100mA, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
34 pF @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-323-3A
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