XP4NA2R2HCST
Référence :
XP4NA2R2HCST
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET N CH 40V 36.5A SPPAK5X6
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 3000
Qté
Prix
Total
3000+
$0.43
$1290
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Tension Drain-Source (Vdss)
40 V
Boîtier
SC-100, SOT-669
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 30 V
Fournisseur Dispositif Emballage
SPPAK 5X6
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
36.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.28mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
5W (Ta), 96.1W (Tc)
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