XP60BM095WL
XP60BM095WL
XP60BM095WL
Référence :
XP60BM095WL
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET N CH 600V 34A TO-247
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 3000
Qté
Prix
Total
3000+
$2.72
$8160
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
TO-247-3
Tension Drain-Source (Vdss)
600 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 10A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4928 pF @ 400 V
Dissipation de puissance (Max)
3.12W (Ta), 208.3W (Tc)
Derniers produits
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-