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VisIC
VisIC
VisICは2010年に設立され、急速に成長する電力変換市場向けに、高電圧(650V以上)で大量生産可能なGaNデバイスの技術ライセンサーおよびプロバイダーとして活動しています。技術チームはVisICを設立した時点で、GaNベースのRFデバイスの設計、製造、応用において累計20年以上の経験を有していました。彼らはGaNベースデバイスのコア材料と関連物理に関する深い理解を応用し、真のGaN金属-絶縁体-半導体高電子移動度トランジスタ(MISHEMT)を開発しました。
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