テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1700V (1.7kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
916A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.86mOhm @ 650A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 305mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
2988nC @ 15V
コンフィギュレーション
2 N-Channel, Common Source (Half Bridge)
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
97300pF @ 1.2kV