ECB2R1M12YM3
部品番号：
ECB2R1M12YM3
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
SIC, MODULE, 2.1M, 1200V, 152MM,
封止：
パッケージ：
Box
数量：
1
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$1588.13
$1588.13
部品ステータス
Active
実装タイプ
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
-
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
Module
動作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
コンフィギュレーション
6 N-Channel (Three Phase Inverter)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
700A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 550A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 167mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
1696nC @ 15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
51300pF @ 800V
パワー - 最大
1.852kW
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