電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
30A (Tc)
コンフィギュレーション
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 40A, 18V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
235nC @ 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
6200pF @ 800V