GE12160CEA3
部品番号：
GE12160CEA3
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
封止：
パッケージ：
Bulk
数量：
12
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$9678.9
$9678.9
部品ステータス
Active
実装タイプ
Chassis Mount
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
認定
AEC-Q101
パッケージ / ケース
Module
サプライヤーデバイスパッケージ
Module
コンフィギュレーション
2 N-Channel (Half Bridge)
テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.425kA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 475A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 480mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
3744nC @ 18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
90000pF @ 600V
パワー - 最大
3.75kW
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