テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8A, 10V
コンフィギュレーション
N and P-Channel Complementary
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PPAK (3.15x3.1)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Tc), 16A (Tc)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
18nC @ 10V, 48nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
345pF @ 25V, 1250pF @ 15V