テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.9mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 640µA
コンフィギュレーション
2 N-Channel, Common Drain
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
23nC @ 4V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2440pF @ 10V
サプライヤーデバイスパッケージ
4-CSP (1.74x1.74)