テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9A (Ta)
コンフィギュレーション
2 N-Channel (Dual) Common Drain
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1810pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 260µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
15nC @ 4V
サプライヤーデバイスパッケージ
6-CSP (1.24x1.89)