テクノロジー
SiC (Silicon Carbide) Schottky
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
電圧 - DCリバース(Vr)(最大)
650 V
パッケージ / ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
電流 - 逆方向リーク電流 @ Vr
180 µA @ 650 V
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If
1.8 V @ 16 A
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK R2P
容量 @ Vr, F
475pF @ 1V, 1MHz