CC-C2-B15-0322
부품 번호:
CC-C2-B15-0322
제품 분류:
-
제조사:
설명:
SiC Power MOSFET 1200V 12A
패키지 타입:
패키지:
Bulk
수량:
5
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 5
수량
가격
총액
5+
$7.7
$38.5
10+
$6.6
$66
100+
$6.05
$605
장착 유형
Through Hole
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
전력 소산 (최대)
100W (Tc)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
12A (Ta)
작동 온도
-40°C ~ 175°C (TJ)
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
공급업체 장치 패키지
TO-247
패키지 / 케이스
TO-247-4
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
15V
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 5mA
Vgs (최대)
+15V, -5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10A, 15V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
40 nC @ 15 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1810 pF @ 200 V
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