CGD65A130SH2
부품 번호:
CGD65A130SH2
제품 분류:
-
설명:
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
3413
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$8.31
$8.31
10+
$5.63
$56.3
100+
$4.27
$427
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
전력 소산 (최대)
-
드레인-소스 전압 (Vdss)
650 V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
12V
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
12A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 4.2mA
Vgs (최대)
+20V, -1V
공급업체 장치 패키지
16-DFN (8x8)
패키지 / 케이스
16-PowerVDFN
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
1.9 nC @ 12 V
최신 제품
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