E3M0900170J-TR
부품 번호:
E3M0900170J-TR
제품 분류:
-
제조사:
설명:
SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-263
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
1600
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$7.46
$7.46
10+
$5.01
$50.1
100+
$3.61
$361
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
Automotive
자격 인증
AEC-Q101
패키지 / 케이스
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
전력 소산 (최대)
41W (Tc)
공급업체 장치 패키지
TO-263-7
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
15V
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss)
1700 V
Vgs (최대)
+19V, -8V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
8 nC @ 15 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 550µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
202 pF @ 1.2 kV
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