ECB4R3M12YM3
부품 번호:
ECB4R3M12YM3
제품 분류:
-
제조사:
설명:
SIC, MODULE, 4.3M, 1200V, 152MM,
패키지 타입:
패키지:
Box
수량:
1601
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$1155
$1155
부품 상태
Active
장착 유형
Chassis Mount
공급업체 장치 패키지
-
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
패키지 / 케이스
Module
작동 온도
-40°C ~ 175°C (TJ)
기술
Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200V (1.2kV)
파워 - 최대
1.1kW (Tj)
컨피규레이션
6 N-Channel (Three Phase Inverter)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
385A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 350A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 84mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
848nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
25600pF @ 800V
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