EPC2016C
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장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
드레인-소스 전압 (Vdss)
100 V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
부품 상태
Not For New Designs
전력 소산 (최대)
-
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
5V
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스
Die
공급업체 장치 패키지
Die
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
18A (Ta)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
4.5 nC @ 5 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
420 pF @ 50 V
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Vgs (최대)
+6V, -4V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
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