구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
5V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
48A (Ta)
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
13.8 nC @ 5 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
8mOhm @ 20A, 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1386 pF @ 100 V
공급업체 장치 패키지
24-BGA (4.6x2.6)