EPC2367
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부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
드레인-소스 전압 (Vdss)
100 V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
전력 소산 (최대)
-
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
5V
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
17 nC @ 5 V
장착 유형
Surface Mount, Wettable Flank
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (최대)
+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 10mA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
78A (Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 30A, 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2170 pF @ 50 V
공급업체 장치 패키지
5-QFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스
5-PowerWQFN
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szlcwkj@163.com
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