전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
169A (Tc)
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
15V, 18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
18mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100mA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7390 pF @ 400 V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
315 nC @ 400 V