FF06020E-3A
부품 번호:
FF06020E-3A
제품 분류:
-
제조사:
설명:
SICFET N-CH 650V 110A TO-247-3L
패키지 타입:
패키지:
Tube
수량:
300
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$39.5
$39.5
10+
$14.48
$144.8
100+
$13.49
$1349
600+
$13.17
$7902
장착 유형
Through Hole
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지 / 케이스
TO-247-3
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
110A (Tc)
드레인-소스 전압 (Vdss)
650 V
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
전력 소산 (최대)
405W (Tc)
Vgs (최대)
+18V, -8V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
15V, 18V
공급업체 장치 패키지
TO-247-3L
Rds On(최대) @ Id, Vgs
28mOhm @ 35A, 18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4437 pF @ 400 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 60mA (Typ)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
194 nC @ 400 V
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