전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
62A (Tc)
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
112 nC @ 15 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 40mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs
48mOhm @ 22A, 18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2818 pF @ 500 V