G3F34MT12J-TR
부품 번호:
G3F34MT12J-TR
제품 분류:
-
설명:
1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
800
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$17.85
$17.85
10+
$14.54
$145.4
100+
$13.8
$1380
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
Automotive
자격 인증
AEC-Q101
패키지 / 케이스
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
전력 소산 (최대)
300W (Tc)
공급업체 장치 패키지
TO-263-7
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
68A (Tc)
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
104 nC @ 18 V
Vgs (최대)
+22V, -10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
45mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 18mA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2418 pF @ 800 V
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