GT55N06D5
부품 번호:
GT55N06D5
제품 분류:
-
제조사:
설명:
N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
1295
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$1.33
$1.33
10+
$0.84
$8.4
100+
$0.55
$55
500+
$0.43
$215
1000+
$0.39
$390
2000+
$0.36
$720
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압 (Vdss)
60 V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
31 nC @ 10 V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
전력 소산 (최대)
69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
9mOhm @ 14A, 10V
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1085 pF @ 30 V
공급업체 장치 패키지
8-DFN (4.9x5.75)
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