IPM018N10NM5LF2AUMA1
부품 번호:
IPM018N10NM5LF2AUMA1
제품 분류:
-
설명:
IPM018N10NM5LF2AUMA1
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
1390
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$8.99
$8.99
10+
$6.11
$61.1
100+
$4.74
$474
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)
100 V
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V, 15V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
178 nC @ 10 V
공급업체 장치 패키지
PG-HSOG-4-1
패키지 / 케이스
4-PowerSFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 15V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
30A (Ta), 285A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.45V @ 240µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
14000 pF @ 50 V
전력 소산 (최대)
3.8W (Ta), 349W (Tc)
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