게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
180 nC @ 10 V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
6V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 150µA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
114A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 70A, 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6510 pF @ 25 V
공급업체 장치 패키지
DirectFET™ Isometric ME
패키지 / 케이스
DirectFET™ Isometric ME