IRFD9113
IRFD9113
IRFD9113
부품 번호:
IRFD9113
제품 분류:
-
제조사:
설명:
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
패키지 타입:
패키지:
Tube
수량:
0
RoHS 상태:
지원
공유:
PDF:
재고
최소 주문 수량: 0
수량
가격
총액
부품 상태
Obsolete
장착 유형
Through Hole
작동 온도
-
기술
MOSFET (Metal Oxide)
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
FET 유형
P-Channel
공급업체 장치 패키지
4-HVMDIP
패키지 / 케이스
4-DIP (0.300", 7.62mm)
드레인-소스 전압 (Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
15 nC @ 15 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
250 pF @ 25 V
전력 소산 (최대)
-
최신 제품
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-