ISCH99N04NM7VATMA1
부품 번호:
ISCH99N04NM7VATMA1
제품 분류:
-
설명:
ISCH99N04NM7VATMA1
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
0
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$2.74
$2.74
10+
$1.76
$17.6
100+
$1.2
$120
500+
$0.97
$485
1000+
$0.95
$950
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
드레인-소스 전압 (Vdss)
40 V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
85 nC @ 10 V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V, 15V
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
전력 소산 (최대)
3W (Ta), 150W (Tc)
공급업체 장치 패키지
PG-TDSON-8
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4400 pF @ 20 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
40A (Ta), 284A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.15V @ 66µA
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