IV2Q12040T4Z
부품 번호:
IV2Q12040T4Z
제품 분류:
-
제조사:
설명:
GEN2, SIC MOSFET, 1200V 40MOHM,
패키지 타입:
패키지:
Tube
수량:
60
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$11.86
$11.86
10+
$8.19
$81.9
100+
$6.12
$612
500+
$5.58
$2790
장착 유형
Through Hole
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
65A (Tc)
전력 소산 (최대)
375W (Tc)
패키지 / 케이스
TO-247-4
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
공급업체 장치 패키지
TO-247-4
Rds On(최대) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 18V
Vgs (최대)
+20V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2160 pF @ 800 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 9mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
110 nC @ 18 V
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