MDD4N65D
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부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
150°C (TJ)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
12 nC @ 10 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
4A (Ta)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
600 pF @ 25 V
Vgs (최대)
±30V
드레인-소스 전압 (Vdss)
650 V
공급업체 장치 패키지
TO-252
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 2A, 10V
전력 소산 (최대)
77W (Ta)
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