MXP120A045FE-T1GE3
부품 번호:
MXP120A045FE-T1GE3
제품 분류:
-
제조사:
설명:
SIC MOSFET
패키지 타입:
패키지:
Tape & Reel (TR)
수량:
0
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1600
수량
가격
총액
1600+
$13.94
$22304
부품 상태
Active
공급업체 장치 패키지
-
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
-
패키지 / 케이스
-
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
49A (Tc)
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
전력 소산 (최대)
212W (Tc)
Vgs (최대)
+22V, -10V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V, 20V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
56mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.38V @ 5mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
75.6 nC @ 18 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1958 pF @ 800 V
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