NC1M120C35HTNG
부품 번호:
NC1M120C35HTNG
제품 분류:
-
제조사:
설명:
SIC MOSFET 1200V 35M 75A TO247-
패키지 타입:
패키지:
Tube
수량:
1700
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 50
수량
가격
총액
50+
$27.76
$1388
장착 유형
Through Hole
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
75A (Tc)
패키지 / 케이스
TO-247-4
공급업체 장치 패키지
TO-247-4L
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss)
1.2 kV
Vgs (최대)
+18V, -5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
50mOhm @ 33.3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 15mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
190 nC @ 18 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2834 pF @ 1 kV
전력 소산 (최대)
386W (Ta)
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