RQ3P120BLFRATCB
부품 번호:
RQ3P120BLFRATCB
제품 분류:
-
제조사:
설명:
NCH 100V 12A, HSMT8AG, POWER MOS
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
3000
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$1.78
$1.78
10+
$1.13
$11.3
100+
$0.75
$75
500+
$0.59
$295
1000+
$0.54
$540
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)
100 V
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
등급
Automotive
자격 인증
AEC-Q101
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
12A (Tc)
전력 소산 (최대)
40W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
6V, 10V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
공급업체 장치 패키지
8-HSMT (3.2x3)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
360 pF @ 50 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 843µA
Rds On(최대) @ Id, Vgs
62mOhm @ 12A, 10V
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