S2M0080120B
부품 번호:
S2M0080120B
제품 분류:
-
제조사:
설명:
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
1600
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$7.7
$7.7
10+
$5.2
$52
100+
$3.78
$378
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
패키지 / 케이스
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
30A (Tc)
공급업체 장치 패키지
TO-263-7
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
20V
전력 소산 (최대)
176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs (최대)
+20V, -5V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
54 nC @ 20 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1324 pF @ 1000 V
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