SICBG040N120H-TP
부품 번호:
SICBG040N120H-TP
제품 분류:
-
설명:
SIC N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
패키지 타입:
패키지:
Tape & Reel (TR)
수량:
0
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 800
수량
가격
총액
800+
$10.59
$8472.01
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
패키지 / 케이스
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
55A (Tc)
전력 소산 (최대)
250W (Tc)
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
20V
Vgs (최대)
+25V, -10V
공급업체 장치 패키지
TO-263-7LA
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 40mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 20V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
229 nC @ 20 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3619 pF @ 800 V
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