SIEH4800EW-T1-GE3
부품 번호:
SIEH4800EW-T1-GE3
제품 분류:
-
제조사:
설명:
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
3000
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$6.8
$6.8
10+
$4.56
$45.6
100+
$3.67
$367
500+
$3.32
$1660
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
드레인-소스 전압 (Vdss)
80 V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
7.5V, 10V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
278 nC @ 10 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.15mOhm @ 20A, 10V
패키지 / 케이스
8-PowerDFN
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
34A (Ta), 381A (Tc)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
29000 pF @ 40 V
전력 소산 (최대)
3.4W (Ta), 417W (Tc)
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® 8 x 8 BWL
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