SIJK140E-T1-GE3
SIJK140E-T1-GE3
SIJK140E-T1-GE3
부품 번호:
SIJK140E-T1-GE3
제품 분류:
-
제조사:
설명:
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
2228
RoHS 상태:
지원
공유:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$8.31
$8.31
10+
$5.63
$56.3
100+
$4.5
$450
500+
$4.28
$2140
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
드레인-소스 전압 (Vdss)
40 V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
470 nC @ 10 V
패키지 / 케이스
8-PowerSFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs
0.47mOhm @ 20A, 10V
공급업체 장치 패키지
PowerPAK®10 x 12
전력 소산 (최대)
17W (Ta), 536W (Tc)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
140A (Ta), 795A (Tc)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
18510 pF @ 20 V
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