SIR580DP-T1-BE3
부품 번호:
SIR580DP-T1-BE3
제품 분류:
-
제조사:
설명:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
6000
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$3.09
$3.09
10+
$2
$20
100+
$1.38
$138
500+
$1.16
$580
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
76 nC @ 10 V
드레인-소스 전압 (Vdss)
80 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8
전력 소산 (최대)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
7.5V, 10V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
35.8A (Ta), 146A (Tc)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4100 pF @ 40 V
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