SIRA06DDP-T1-UE3
부품 번호:
SIRA06DDP-T1-UE3
제품 분류:
-
제조사:
설명:
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
5838
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$1.27
$1.27
10+
$0.8
$8
100+
$0.52
$52
500+
$0.41
$205
1000+
$0.37
$370
2000+
$0.34
$680
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
드레인-소스 전압 (Vdss)
30 V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2330 pF @ 15 V
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8
Vgs (최대)
+20V, -16V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 15A, 10V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
36A (Ta), 125A (Tc)
전력 소산 (최대)
4.6W (Ta), 59W (Tc)
최신 제품
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