SISS588DN-T1-BE3
부품 번호:
SISS588DN-T1-BE3
제품 분류:
-
제조사:
설명:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
6000
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$2.2
$2.2
10+
$1.4
$14
100+
$0.95
$95
500+
$0.75
$375
1000+
$0.71
$710
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압 (Vdss)
80 V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
28.5 nC @ 10 V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
7.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
8mOhm @ 10A, 10V
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® 1212-8S
패키지 / 케이스
PowerPAK® 1212-8S
전력 소산 (최대)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1380 pF @ 40 V
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