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홈
제품 목록
TK080U60Z1,RQ
부품 번호:
TK080U60Z1,RQ
제품 분류:
-
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
설명:
N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
4000
RoHS 상태:
지원
공유:
PDF:
TK080U60Z1,RQ
견적 요청
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$5.57
$5.57
10+
$3.7
$37
100+
$2.64
$264
500+
$2.51
$1255
제품 파라미터
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
150°C
드레인-소스 전압 (Vdss)
600 V
Vgs (최대)
±30V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
43 nC @ 10 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
30A (Ta)
전력 소산 (최대)
211W (Tc)
패키지 / 케이스
8-PowerSFN
공급업체 장치 패키지
TOLL
Rds On(최대) @ Id, Vgs
80mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.17mA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2510 pF @ 300 V
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