TP65H070G4QS-TR
부품 번호:
TP65H070G4QS-TR
제품 분류:
-
제조사:
설명:
650 V 29 A GAN FET
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
2880
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$10.77
$10.77
10+
$7.4
$74
100+
$6.03
$603
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압 (Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
29A (Tc)
전력 소산 (최대)
96W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
85mOhm @ 16A, 10V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
8.4 nC @ 10 V
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
패키지 / 케이스
8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
600 pF @ 400 V
공급업체 장치 패키지
TOLL
최신 제품
szlcwkj@163.com
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