TP65H300G4LSGB-TR
부품 번호:
TP65H300G4LSGB-TR
제품 분류:
-
제조사:
설명:
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
4382
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$4.6
$4.6
10+
$3.03
$30.3
100+
$2.13
$213
500+
$1.94
$970
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Vgs (최대)
±12V
드레인-소스 전압 (Vdss)
650 V
패키지 / 케이스
8-VDFN Exposed Pad
전력 소산 (최대)
21W (Tc)
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
730 pF @ 400 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 500µA
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
6V
공급업체 장치 패키지
8-PQFN (8x8)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
312mOhm @ 6.5A, 6V
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