TPM7R10CQ5,LQ
부품 번호:
TPM7R10CQ5,LQ
제품 분류:
-
설명:
N-CH MOSFET, 150 V, 0.0071 @10V,
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
10000
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$4.11
$4.11
10+
$2.7
$27
100+
$1.89
$189
500+
$1.67
$835
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
드레인-소스 전압 (Vdss)
150 V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
57 nC @ 10 V
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
8V, 10V
작동 온도
175°C
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.2mA
전력 소산 (최대)
3W (Ta), 250W (Tc)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
13A (Ta), 120A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
7.1mOhm @ 35A, 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6800 pF @ 75 V
공급업체 장치 패키지
8-SOP Advance (4.9x5.75)
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