Рабочая температура - переход
-55°C ~ 175°C
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.)
1200 V
Ток - Обратная утечка при Vr
100 µA @ 1200 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-220-2
Технология
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0 ns
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If
1.7 V @ 10 A
Ток - Средний выпрямленный (Io)
28A
Емкость при Vr, Ф
575pF @ 1V, 1MHz