Тип монтажа
Surface Mount
Ток - Средний выпрямленный (Io)
8A
Рабочая температура - переход
-55°C ~ 175°C
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If
1.5 V @ 8 A
Технология
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0 ns
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.)
650 V
Ток - Обратная утечка при Vr
20 µA @ 650 V
Поставщик Устройство Корпус
DFN8080
Емкость при Vr, Ф
414pF @ 100mV, 1MHz